| 型号： | DDTB113ZC-7-F | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| DDTB113ZC-7-F PDF |  |
| 产品变化通告 | Encapsulate Change 15/May/2008 Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 1k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 10k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 56 @ 50mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |